一、線痕
分類：線痕按表現形式分為雜質線痕、劃傷線痕、密布線痕、錯位線痕、邊緣線痕等。各種線痕產生的原因如下：
1、雜質線痕：由多晶硅錠內雜質引起，在切片過程中無法完全去除，導致硅片上產生相關線痕。
表現形式：
（1）線痕上有可見黑點，即雜質點。
（2）無可見雜質黑點，但相鄰兩硅片線痕成對，即一片中凹入，一片凸起，并處同一位置。
（3）以上兩種特征都有。
（4）一般情況下，雜質線痕比其它線痕有較高的線弓。
改善方法：
（1）改善原材料或鑄錠工藝，改善IPQC檢測手段。
（2）改善切片工藝，采用粗砂、粗線、降低臺速、提高線速等。
其它相關：硅錠雜質除會產生雜質線痕外，還會導致切片過程中出現"切不動"現象。如未及時發現處理，可導致斷線而產生更大的損失。
2、劃傷線痕：由砂漿中的SIC大顆粒或砂漿結塊引起。切割過程中，SIC顆粒"卡"在鋼線與硅片之間，無法溢出，造成線痕。
表現形式：包括整條線痕和半截線痕，內凹，線痕發亮，較其它線痕更加窄細。
改善方法：
（1）針對大顆粒SIC（2.5~3D50），加強IQC檢測；使用部門對同一批次SIC先進行試用，然后再進行正常使用。
（2）導致砂漿結塊的原因有：砂漿攪拌時間不夠；SIC水分含量超標，砂漿配制前沒有進行烘烤；PEG水分含量超標（重量百分比<0.5%）；SIC成分中游離C（<0.03%）以及<2μm微粉超標。
其它相關：SIC的特性包括SIC含量、粒度、粒形、硬度、韌性等，各項性能對于切片都有很大的影響。
3、密布線痕（密集型線痕）：由于砂漿的磨削能力不夠或者切片機砂漿回路系統問題，造成硅片上出現密集線痕區域。
表現形式：
（1）硅片整面密集線痕。
（2）硅片出線口端半片面積密集線痕。
（3）硅片部分區域貫穿硅片密集線痕。
（4）部分不規則區域密集線痕。
（5）硅塊頭部區域密布線痕。
改善方法：
（1）硅片整面密集線痕，原因為砂漿本身切割能力嚴
重不足引起，包括SIC顆粒度太小、砂漿攪拌時間不夠、砂漿更換量不夠等，可針對性解決。
（2）硅片出線口端半片面積密集線痕。原因為砂漿切
割能力不夠，回收砂漿易出現此類情況，通過改
善回收工藝解決。
（3）硅片部分區域貫穿硅片密集線痕。原因為切片機臺內砂漿循環系統問題，如砂漿噴嘴堵塞。在清洗時用美工刀將噴嘴內贓物劃向兩邊。
（4）部分不規則區域密集線痕。原因為多晶硅錠硬度不均勻，部分區域硬度過高。改善鑄錠工藝解決此問題。
（5）硅塊頭部區域密布線痕。切片機內引流桿問題。
4、錯位線痕：由于切片機液壓夾緊裝置表面有砂漿等異物或者托板上有殘余膠水，造成液壓裝置與托板不能完全夾緊，以及托板螺絲松動，而產生的線痕。
改善方法：規范粘膠操作，加強切片前檢查工作，定期清洗機床。
5、邊緣線痕：由于硅塊倒角處余膠未清理干凈而導致的線痕。
表現形式：一般出現在靠近粘膠面一側的倒角處，貫穿整片硅片。
改善方法：規范粘膠操作，加強檢查和監督。
二、TTV（Total Thickness Variety）
TTV不良，都是由于各種問題導致線網抖動而產生的硅片不良，包括設備精度問題、工作臺問題、導輪問題、導向條粘膠問題等。
1、設備精度：
導輪徑向跳動<40μm，軸向跳動<20μm。
改善方法：校準設備。
2、工作臺問題：
工作臺的不穩定性會導致大量TTV不良的產生。
改善方法：維修工作臺。
3、導輪問題：
因導輪問題而產生的TTV不良，一般出現在新導輪和導輪磨損很大的時候。
改善方法：更換導輪。
4、導向條粘膠問題：
當導向條下的膠水涂抹不均勻，出現部分空隙，在空隙位置的硅片，易出現TTV不良問題。
改善方法：規范粘膠操作。
三、臺階
臺階的出現，是由切片過程中的鋼線跳線引起，而導致鋼線跳線的原因，包括設備、工藝、物料等各方面的問題，部分如下：
1、砂漿問題：
砂漿內含雜質過多，沒有經過充分過濾，造成鋼線跳線。
改善方法：規范砂漿配制、更換，延長切片的熱機時間和次數。
2、硅塊雜質問題：
硅塊的大顆粒雜質會引起跳線而產生臺階。
改善方法：改善原材料或鑄錠工藝，改善IPQC檢測手段。
3、單晶停機、切起工藝問題：
單晶相對多晶硬度較大，在異常停機并重新切起的過程中，采用違規操作產生的鋼線跳線。
改善方法：嚴格遵循工藝操作。
4、線、砂工藝匹配問題：
鋼線、砂漿型號不匹配造成切片跳線，此種情況很少出現。