光刻技術，在集成電路的制造過程中，是一個非常重要的環節，正因為有了它，我們才能在微小的芯片上實現功能。
光刻利用曝光和顯影在光刻膠層上刻畫幾何圖形結構，然后通過刻蝕工藝將光掩模上的圖形轉移到所在襯底上。這里所說的襯底不僅包含硅晶圓，還可以是其他金屬層、介質層，例如玻璃、SOS中的藍寶石。
光刻技術的基本原理
光刻的基本原理是利用光致抗蝕劑（或稱光刻膠）感光后因光化學反應而形成耐蝕性的特點，將掩模板上的圖形刻制到被加工表面上。
光刻半導體芯片二氧化硅的主要步驟：
1、涂布光致抗蝕劑；
2、套準掩模板并曝光；
3、用顯影液溶解未感光的光致抗蝕劑層；
4、用腐蝕液溶解掉無光致抗蝕劑保護的二氧化硅層；
5、去除已感光的光致抗蝕劑層。
電子束光刻
電子束光刻技術是微型技術加工發展的關鍵技術,他在納米制造領域中起著不可替代的作用。電子束光刻主要是刻畫微小的電路圖，電路通常是以納米微單位的。
隨著中國納米技術和納米電子學的蓬勃發展,納米加工技術的研究越來越重要,而電子束光刻技術將是納米結構圖形加工中非常重要的手段。
電子束光刻技術要應用于納米尺度微小結構的加工和集成電路的光刻,必須解決幾個關鍵的技術問題:電子束高精度掃描成像曝光效率低;電子在抗蝕劑和基片中的散射和背散射現象造成的鄰近效應;在實現納米尺度加工中電子抗蝕劑和電子束曝光及顯影、刻蝕等工藝技術問題。
實踐證明,電子束鄰近效應校正技術、電子束曝光與光學曝光系統的匹配和混合光刻技術及抗蝕劑曝光工藝優化技術的應用,是一種提高電子束光刻系統實際光刻分辨能力非常有效的辦法。
電子束光刻最主要的就是金屬化剝離，第一步是在光刻膠表面掃描到自己需要的圖形。第二部是將曝光的圖形進行顯影，去除未曝光的部分，第三部在形成的圖形上沉淀金屬，第四部將光刻膠去除，在金屬剝離的過程中，關鍵在于光刻工藝的膠型控制。最好使用厚膠，這樣有利于膠劑的滲透，形成清晰的形貌。
目前的光刻技術已經非常成熟，除了上面提的電子束光刻，還有光學光刻、聚焦粒子束光刻、移相掩模、X射線光刻等，而且在一般的生產半導體芯片或者其它元件時，一個襯底是需要多次重復光刻的。