●8位專家展望EUV光刻技術(shù)（一）
在文章的最后，我們引用GlobalSources電子工程專輯于2010年05月07日對業(yè)界光刻專家和該領(lǐng)域的一些高層人員以“光刻技術(shù)路在何方”為主題的一次訪談。這次訪談的作者為來自電子工程專輯馬立得先生。
光刻技術(shù)正處在十字路口并可能是在向錯誤的方向發(fā)展。
光刻是支撐摩爾定律所闡明的IC工藝不斷縮微的關(guān)鍵生產(chǎn)技術(shù)。當(dāng)前的技術(shù)仍然可行，而且其壽命已遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出了所有人的預(yù)期，所以將在不久的將來失去動力。其后繼技術(shù)的研究在幾十年前就已經(jīng)開始。
然而，今天，在四個主要的下一代光刻(NGL)候選技術(shù)中，有三個技術(shù)，即超紫外線(EUV)、多波束無掩膜和納米壓印，落后于時間表。
業(yè)界之前所預(yù)測的光刻技術(shù)發(fā)展路線圖
特別是EUV技術(shù)，消耗了大量的研發(fā)時間和財富，但仍沒有取得多少成果，這促使一些人士呼吁把開發(fā)努力重新定向。納米壓印，就其本身而言，存在套刻精度和吞吐量問題，而多波束技術(shù)仍然在研發(fā)中。第四個下一代候選技術(shù)--定向自組裝，是一種很有前途的研究課題，但尚未開始研發(fā)。
英特爾早在1997年就領(lǐng)導(dǎo)成立了EUV LLC企業(yè)聯(lián)盟，計劃在2005年把EUV光刻技術(shù)商業(yè)化的，加盟公司包括AMD、IBM、英飛凌和Micron。
按照原定計劃，EUV現(xiàn)在應(yīng)該取代傳統(tǒng)的光學(xué)光刻技術(shù)。然而事實上，光學(xué)光刻目前在半導(dǎo)體領(lǐng)域仍然舉足輕重。至于EUV技術(shù)何時能投入生產(chǎn)，有人估計在2012年初，也有人估計在2015年或2016年，甚至有人認(rèn)為這個時間可能永遠(yuǎn)不會到來。
也有一些公司在推動納米壓印、無掩膜光刻或一種被稱為自組裝的新興技術(shù)。另外一些公司則希望把今天的光學(xué)光刻技術(shù)一直延續(xù)下去。
對于這個產(chǎn)業(yè)來說，將賭注押在EUV上錯了么？如果真是這樣的話，到底應(yīng)該研究哪種技術(shù)呢？從長遠(yuǎn)來看，誰將最終受益？
1、YanBorodovsky
——英特爾高級研究員兼技術(shù)和制造部先進(jìn)光刻技術(shù)總監(jiān)
雖然之前一直都在推動EUV技術(shù)，但是英特爾目前正在考慮一種混合匹配的光刻戰(zhàn)略。
“針對未來的IC設(shè)計，我認(rèn)為正確的方向是具有互補性的光刻技術(shù)。193納米光刻是目前能力最強且最成熟的技術(shù)，能夠滿足精確度和成本要求，但缺點是分辨率低。利用一種新技術(shù)作為193納米光刻的補充，可能是在成本、性能以及精確度方面的最佳解決方案。補充技術(shù)可以是EUV或電子束光刻。”
“我認(rèn)為，對于大批量制造而言，將EUV作為補充技術(shù)存在很多挑戰(zhàn)，多波束電子束同樣如此。NAND閃存廠商有更大的可能去引入某種新技術(shù)，就像我們之前試圖引入EUV那樣。實際上，邏輯芯片在布局、設(shè)計規(guī)則和限制方面有更大的自由度。因而我們可以理解，為什么三星將更加積極地部署EUV。他們別無選擇，只能寄希望于波長更短、數(shù)值孔徑（NA）更高和K1為0.25的技術(shù)。”
2、G. DanHutcheson
——市場研究公司VLSI Technology CEO
“我認(rèn)為該行業(yè)找到了正確方向。這個十年比上個十年好了太多。我記得在上世紀(jì)90年代，所有研究都在遵循下一代光刻的路線圖，沒有人搞別的東西。”
“而我們從事的是每年花費大量研發(fā)經(jīng)費的不斷發(fā)展的業(yè)務(wù)。要確保在將來的節(jié)點仍遵循摩爾定律，需要有兩到三個可替代現(xiàn)有技術(shù)的方案。作為最后的手段，電子束技術(shù)總能保證寫入的幾何精密性，但缺點是它違反了摩爾定律。壓印是一項非常有趣的技術(shù)，這項技術(shù)有待開發(fā)。EUV也是如此。”
“我們可利用現(xiàn)有的技術(shù)，即雙重成型。如果我是芯片制造商，我會把大量資金投在雙重成型技術(shù)上，因為現(xiàn)在我的光刻工具的產(chǎn)能基本上下降了一半。也就是說，每片晶圓的成本增加了一倍。因此我會需要雙倍的工具，這對設(shè)備行業(yè)來說是個好消息。”