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【兆恒機(jī)械】MEMS 器件刻蝕工藝優(yōu)化

【兆恒機(jī)械】MEMS 器件刻蝕工藝優(yōu)化.

從廣義來講,MEMS是指集微型傳感器、微型執(zhí)行器以及信號處理和控制電路、接口電路、通信和電源于一體的完整微型機(jī)電系統(tǒng)。它可以把運動、光、聲、熱、磁等自然界信

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【兆恒機(jī)械】CMOS工藝流程詳解

【兆恒機(jī)械】CMOS工藝流程詳解.

CMOS工藝流程介紹1.襯底選擇:選擇合適的襯底,或者外延片,本流程是帶外延的襯底;2.?開始:Pad?oxide氧化,如果直接淀積氮化硅,氮化硅對襯底應(yīng)力過大,容易出問題;接著

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【兆恒機(jī)械】金剛線切割單晶硅片的PERC電池背拋光研究

【兆恒機(jī)械】金剛線切割單晶硅片的PERC電池背拋光研究.

摘 要:研究一種實現(xiàn)背面拋光的方法,在制絨工序中以氮化硅為掩膜,對金剛線切割單晶硅片進(jìn)行單面制絨,該掩膜在制絨工序中被HF 酸去除。未制絨面作為背鈍化電池背拋

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【兆恒機(jī)械】碳化硅元器件的昨天、今天、明天!

【兆恒機(jī)械】碳化硅元器件的昨天、今天、明天!.

碳化硅元器件的昨天、今天、明天!來源:寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟【導(dǎo)讀】碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑為原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大

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【兆恒機(jī)械】SiC器件與Si技術(shù)對比優(yōu)勢及在電動汽車牽引逆變器等應(yīng)用中的趨勢

【兆恒機(jī)械】SiC器件與Si技術(shù)對比優(yōu)勢及在電動汽車牽引逆變器等應(yīng)用中的趨勢.

SiC的應(yīng)用始于2000年,最早在PFC中采用了SiC?JBS二極管。隨后是在光伏行業(yè)中,開始使用SiC二極管和FET。但是,最近在EV車載充電器和DC-DC轉(zhuǎn)換器相關(guān)領(lǐng)域應(yīng)用的激增,

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【兆恒機(jī)械】金屬硅化物工藝技術(shù)詳解

【兆恒機(jī)械】金屬硅化物工藝技術(shù)詳解.

隨著集成電路工藝制程技術(shù)的不斷發(fā)展,為了提高集成電路的集成度,同時提升器件的工作速度和降低它的功耗,半導(dǎo)體工藝的特征尺寸不斷縮小,晶體管的柵、源和漏有源區(qū)

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【兆恒機(jī)械】摻磷多晶硅的干法刻蝕工藝研究

【兆恒機(jī)械】摻磷多晶硅的干法刻蝕工藝研究.

碳化硅(SiC)材料是目前世界上公認(rèn)的綠色高效的新型半導(dǎo)體材料,具有寬禁帶寬度、高擊穿電場、高熱導(dǎo)率、高飽和電子漂移速度、抗輻射能力強(qiáng)以及化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定等優(yōu)勢

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【兆恒機(jī)械】薄膜沉積工藝

【兆恒機(jī)械】薄膜沉積工藝.

薄膜沉積是集成電路制造過程中必不可少的環(huán)節(jié),傳統(tǒng)的薄膜沉積工藝主要有 PVD、 CVD 等氣相沉積工藝:PVD(物理氣相沉積): 在真空條件下,采用物理方法,將材料源(固體

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【兆恒機(jī)械】半導(dǎo)體工藝之氣相外延

【兆恒機(jī)械】半導(dǎo)體工藝之氣相外延.

在半導(dǎo)體科學(xué)技術(shù)的發(fā)展中,氣相外延發(fā)揮了重要作用,該技術(shù)已廣泛用于Si半導(dǎo)體器件和集成電路的工業(yè)化生產(chǎn)。硅的外延生長一個含有硅原子的氣體以適當(dāng)?shù)姆绞酵ㄟ^襯

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【兆恒機(jī)械】一顆硅棒是怎么變成硅片的?

【兆恒機(jī)械】一顆硅棒是怎么變成硅片的?.

一顆單晶硅棒是怎么變成單晶硅片的?今天的中環(huán)小課堂就為大家介紹半導(dǎo)體硅研磨片的工藝流程。一般而言,加工半導(dǎo)體硅研磨片要經(jīng)過如下步驟:切斷—滾磨—粘棒—線切

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